活動預告:科技大師系列講座-著名半導體物理和器件專家褚君浩談現代光電科技若干進展

report150911澳門科技大學將於本週三(9月16日下午4:30)在大學N座101會議廳舉行本學期第二場科技大師講座,屆時將邀請著名半導體物理和器件專家,中國科學院院士褚君浩院士。

褚君浩院士是我國半導體物理和器件專家,中國科學院上海技術物理研究所研究員,博士生導師,紅外物理國家重點實驗室主任。1945年3月生於江蘇宜興。1966年畢業於上海師範學院(現上海師範大學)物理系,1981年和1984年先後獲得中國科學院上海技術物理研究所碩士、博士學位。現任中國科學院上海技術物理研究所科技委副主任,華東師範大學信息科學技術學院院長,第十屆全國人大代表。

褚君浩院士長期從事紅外光電子材料和器件的研究,開展了用於紅探測器的窄禁半導體碲镉汞(HgCdTe)和鐵電薄膜的材料物理和器件研究。提出了HgCdTe的禁帶寬等關系式;被國際上稱爲CXT公式,廣泛引用並認爲與實驗結果最符合;建立了研究窄禁帶半導體MIS器件結構二維電子氣子能帶結構的理論模型;發現了HgCdTe的基本光電躍遷特性,確定了材料器件的光電判別依據;開展了鐵電薄膜材料物理和非冷紅外探測器研究,研究成功PZT和BST鐵電薄膜非制冷紅外探測器並實現了熱成像,爲中國物理科學和研究作出了重大貢獻。

褚君浩院士同時是德國慕尼黑技術大學篁系洪堡研究成員,兼任“紅外與毫米波學報”主編及上海應用物理研究中心副主任、中國物理學會光物理專業委員會副主任、上海物理學會光物理專業委員會主任、上海激光學會副理事長。上海市第11屆人民代表。主要研究固體物理、窄禁帶半導體物理。系統研究了窄禁帶半導體的基礎物理,在光學性質、電學性質、能帶結構、晶格振動、雜質缺陷、二維電子氣研究方面取得系統的研究成果,HgCdTe基礎物理部分研究成果具有國際領先水平。提出的禁帶寬度公式被國際上稱爲CXT公式(褚、徐、湯)。          

歡迎社會各界人士屆時聆聽大師講座,如需查詢及報名,可聯絡大學諮詢臺(電話:28881122,電子郵件:registry@must.edu.mo,傳真:28880022)。